基于应变模型的SiGe PMOSFET性能模拟

摘要：

本文在普通Si器件性能模拟的基础上,详细研究了长沟应变SiGe器件的模拟,并进一步探讨了调制掺杂层的引入对器件性能主要是跨导的影响.在器件模拟过程中,采用隐含的SiGe材料和Si材料模型会得到与实际情况出入较大的结果.本文根据前人的材料研究工作,引入了插值所得的近似因子以修正silvaco中隐含的SiGe能带模型和迁移率参数.然后依据修正后的模型对SiGe PMOS进行了更为精确的二维模拟,并验证了调制掺杂层的作用.

关键词： SiGe器件 调制掺杂层 性能模拟 应变模型 器件结构

作者: 史进 黎晨 陈培毅 罗广礼

作者单位: 清华大学微电子学研究所(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 335-339

在线出版日期: 2001-04-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）