三元合金Si1-x-yGexCy的氧化动力学
利用椭圆偏振仪(EL)、傅立叶红外光谱(FTIR)研究了Si<,1-x-y>Ge<,x>C<,y>合金分别在在900℃和1000℃干氧气氛下所形成的氧化物的生长动力学.结果表明:在900℃氧化时,随着合金中的替代碳含量的增加,氧化速率逐渐下降;而在1000℃下氧化超过10分钟后,Si<,1-x-y>Ge<,x>C<,y>合金的氧化基本上与碳的含量无关,与Si<,1-x>Ge<,x>的行为一致.这主要是由于在1000℃比较长时间的氧化过程中,替代位的碳逐渐析出形成β-SiC沉淀,失去了对氧化过程的影响作用.我们研究表明对于Si<,1-x-y>Ge<,x>C<,y>薄膜和器件的应用来说,氧化的温度必须要小于1000℃.
三元合金 Si<,1-x-y>Ge<,x>C<,y>合金 氧化动力学 氧化温度 半导体材料
王亚东 叶志镇 黄靖云 赵炳辉
硅材料国家重点实验室,浙江大学(杭州)
国内会议
昆明
中文
331-334
2001-04-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）