门延迟小于100ps的硅基锗硅异质结19级环振电路的研究

摘要：

本文介绍了一种硅基锗硅异质结晶体管的结构.报导了与硅基单层多晶硅发射极工艺兼容的硅基锗异质结19级环振电路的研制、简要工艺流程、锗硅基区结构、硅基锗硅异质结晶体管的性能,19级环振电路的设计及测试结果.

关键词： 锗硅异质结双极晶体管 环振电路 工艺流程

作者: 倪学文 莫邦燹 宁宝俊 罗葵 张录 关旭东 韩汝琦

作者单位: 北京大学微电子所(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 328-330

在线出版日期: 2001-04-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）