应变Si1-xGex层禁带宽度的研究

摘要：

在前人研究的基础上,本文提出了锗硅材料禁带宽度随含量x、温度T、及掺杂浓度N<,A>变化的经验公式,改善了以往经验公式局限性较大的缺点.分析并计算了不同温度、掺杂浓度以及不同材料的禁带变窄量,与实验数据进行了对比,两者符合得很好.

关键词： 锗硅材料 禁带宽度 掺杂浓度 锗含量

作者: 金海岩 张利春 高玉芝

作者单位: 北京大学微电子学研究所(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 324-327

在线出版日期: 2001-04-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）