锗硅基区禁带变窄量的研究

摘要：

本文采用一种新的方法计算双极器件中原位掺B的Si<,0.80>Ge<,0.20>锗硅基区禁带变窄量.这种方法利用V<,BE>做自变量,在室温和液氮温度下测量器件的Gummel图,获得两条V<,BE>～lnI<,c>直线,求解交点可以计算出基区的禁带变窄量ΔE<,G>.用这种方法测试的锗硅基区禁带变窄量的151meV,这个测量结果与文献中的数值符合得较好.

关键词： 多晶硅发射极晶体管 锗硅异质结晶体管 禁带变窄量 测量方法

作者: 金海岩 高玉芝 赵宝瑛 张利春

作者单位: 北京大学微电子学研究所(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 321-323

在线出版日期: 2001-04-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）