自对准HBT T型发射极的制作

摘要：

本文比较了SF<,6>对钨(W)和硅(Si)的刻蚀特性,并利用硅片和钨靶结合的办法来得到WSi薄膜,利用WSi的侧向腐蚀特性来制作T型发射极金属,在此基础上实现了HBT发射极和基极的自对准.实验结果表明这一方法具有很大的灵活性和良好的可控性,满足了高性能自对准HBT制作的工艺要求.

关键词： 异质结双极晶体管 WSi薄膜 自对准工艺 T型发射极 制作工艺

作者: 郑坚斌 刘训春 王润梅 李无瑕 钱永学 杨雪莹

作者单位: 中国科学院微电子中心(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 317-320

在线出版日期: 2001-04-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）