STI技术中隔离沟槽的刻蚀

摘要：

随着微电子工艺技术的不断进步,基于LOCOS的隔离技术已经不适应深亚微米工艺的要求,浅沟槽隔离(STI)技术由于所具有的几乎为零的场侵蚀,更好的平坦性和抗锁定性能以及低的结电容,已成为深亚微米工艺的主流隔离技术.本文地STI技术中的浅沟槽的形成进行了研究,获得了能满足STI隔离技术要求的浅沟槽.

关键词： 浅沟槽隔离 隔离技术 刻蚀 隔离沟槽

作者: 欧文 王新柱

作者单位: 中国科学院微电子中心

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 203-205

在线出版日期: 2001-04-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）