PECVD SiON淀积工艺实验研究

摘要：

本文应用C-1 PECVD系统从实验上研究了各种工艺条件对SiON淀积速率、折射率及其片内均匀性影响,并从中确定出优化的工艺菜单.

关键词： SiON薄膜 淀积速率 折射率

作者: 林发永 刘志弘 刘荣华 张伟 付玉霞 刘爱华 仲涛 鲁勇 石永维

作者单位: 北京清华园清华大学微电子学研究所 吉林半导体厂

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 195-199

在线出版日期: 2001-04-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）