3.4nm超薄SiO2栅介质的特性
用LOCOS工艺制备出栅介质厚度为3.4nm的MOS电容样品,通过对样品进行I-V特性和恒流应力下V-t特性的测试,分析用氮气稀释氧化法制备的栅介质的性能,同时考察了硼扩散对栅介质性能的影响.实验结果表明,制备出的3.4nmSiO<,2>栅介质的平均击穿场强为16.7MV/cm,在恒流应力下发生软击穿,平均击穿电荷为2.7C/cm<”2>.栅介质厚度相同的情况下,P<”+>栅样品的击穿场强和软击穿电荷都低于N<”+>栅样品.
软击穿 硼扩散 性能影响 SiO<,2>栅介质 MOS器件
许晓燕 谭静荣 高文钰 黄如 田大宇 张兴
北京大学微电子学研究所(北京)
国内会议
昆明
中文
191-194
2001-04-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）