大晶粒硅栅抑制硼穿透超薄氧化层的工艺研究
深亚微米CMOS工艺中由注入掺杂形成P型和N型双栅.P型栅中的硼(B<”11+>)在源漏热退火时会穿透(Penetration)超薄栅氧化层进入沟道引起器件性能的劣化.通常采用氮化氧化层来抑制小尺寸器件中的日趋严重的硼穿效应,而本文通过改进栅电极结构,即增大多晶硅晶粒尺寸来实现上述目的.文中阐述了大晶粒硅栅的工艺形成和生长机理,以及“致密效应”;重点分析了大晶粒硅栅比氧化氮化更强的抑制B穿透与改善薄氧化层击穿电压的特性;描述了大晶粒硅栅中不同的B扩展机理及对氧化层可靠性的改善机制.同时我们成功将大晶粒硅栅应用于具备超薄栅氧化膜MOS管.
硅栅器件 工艺流程 抑制硼穿 氧化层
殷华湘 徐秋霞 李俊峰 郝秋华
中国科学院微电子中心一室
国内会议
昆明
中文
186-190
2001-04-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）