深亚微米电子束抗蚀剂
本章讨论了PMMA正性电子束抗蚀剂和SAL601负性电子束抗蚀剂的工艺条件.经过大量实验总结出PMMA的工艺条件为:165℃前烘30分钟,曝光剂量选择380-500μC/cm<”2>,在20℃的温度下用MIBK:IPA=1:3的显影液显影1分钟,再用IPA冲洗30分钟,在80℃低温下烘烤30分钟以去除残余物质.SAL601是一种化学放大,对烘烤温度要求很严格.我们在实验中选用热板在105℃前烘2分钟曝光剂量为8-21μC/cm<”2>,105℃后烘2分钟,用SAL601的专用显影液显影4-8分钟.
电子束抗蚀剂 电子束曝光 工艺技术
刘明 陈宝钦 徐秋霞
中国科学院微电子中心(北京)
国内会议
昆明
中文
182-185
2001-04-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）