ULSI铜互连技术中电镀工艺的完整填充性

摘要：

给电镀液中加入适当的整平剂,同时采用了三步电流法,成功的将工业镀铜技术应用于ULSI铜互连线技术中,实现了对高宽比为1μm:0.6μm的刻孔的无空洞、无裂缝填充.所镀铜膜的电阻率为2.0μΩ·cm,X衍射的分析结果显示出的Cu(111)的致密结构非常有利于互连线技术中高抗电迁移性要求.

关键词： 集成电路 电镀工艺 铜互连技术 填充性

作者: 张国海 夏洋 钱鹤 王文泉 龙世兵

作者单位: 中科院微电子中心(北京) 北京科技大学(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 178-181

在线出版日期: 2001-04-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）