耗尽型MOSFET铯掺杂机理研究及工艺监控方法的创立
耗尽型MOSFET中铯Cs掺杂是POWER MOS器件加工过程中的一种特殊工艺,它有别于普通的改变半导体材料导电类型的III-V族元素掺杂,而且利用铯Cs原子与半导体材料中III,V族元素的相互作用,达到改变沟道杂质浓度和提高栅电极预置电压的目的,即“二次掺杂”.由于我们过去使用的系列工艺对此领域从未涉猎,尚属空白,本次铯(Cs)掺杂机理的研究和工艺监控方法的创立对我们今后开发新的POWER MOS工艺有着非常重要的指导意义.
铯 阈值电压 二次掺杂 掺杂机理 工艺监控 MOS器件
李剑锋 刘学军 段大志
首钢日电电子有限公司
国内会议
昆明
中文
172-177
2001-04-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）