液氮温度下多晶硅发射区RCA器件和电路

摘要：

本文研究了掺磷双层多晶硅RCA器件和电路的制备工艺及其温度特性.在工艺中采用了自对准双极结构,人为生长RCA超薄氧化层,并用快速热退火处理RCA氧化层.研制的多晶硅发射区RCA晶体管不仅具有较低的电流增益—温度依赖关系,而且还具有较快的工作速度.此外,我们还首次制备出多晶硅发射区RCA ECL静态二分频器,在室温下工作频率为1.1～1.2GHz,在液氮温度下能够正常工作,工作频率可达730MHz.

关键词： RCA晶体管 制备工艺 温度特性 多晶硅发射区

作者: 叶红飞 高玉芝 张广勤 宁宝俊 莫邦燹 罗葵 张利春

作者单位: 北京大学微电子研究所(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 164-167

在线出版日期: 2001-04-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）