会议专题

一种CMOS高速八位A/D转换器设计

本文介绍了一种高速八位A/D转换器的基本结构,以及该结构实现高速八位A/D转换器性能的关键部分,在HP工作站的Candecs系统下,采用1μm工艺模型参数进行了电路模拟分析,模拟结果为:工作电压Vcc=5V,模拟输入2V正弦信号,采样时钟频率100MHz,SFDR=55.6dB,电源I<,CC>=25mA,并且给出了1μmCMOS工艺结构的版图.

A/D转换器 设计结构 工作原理

张加斌 范麟 舒辉然 严顺炳 李儒章 余景川 蒋和全

电子24所(重庆)

国内会议

第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议

昆明

中文

73-77

2001-04-12(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)