多层硅外延生长技术研究

摘要：

本文介绍了高压大电流晶体管电路外延片制备的主要技术关键,及控制杂质浓度分布、晶格结构完整性、电参数及厚度均匀性、重复性等工艺流程.它所提供的外延片已成功地应用于3、4英寸电路的生产中.

关键词： 硅 外延片 外延生长 掺杂技术

作者: 李智囊 毛儒炎 冯建 陈洪波 李文

作者单位: 信息产业部电子第24研究所(重庆)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 59-61

在线出版日期: 2001-04-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）