对影响GaAs晶体性能因素的探讨

摘要：

GaAs具有电子迁移率高、禁带宽度大以及直接越迁型能带结构等特性,这是由它的特殊结构决定的.影响其电学性能的因素很多,本文简述了杂质元素改变晶体结构从而改变晶体电学性能及退火改变晶体的电参数.研究影响晶体电学性能的因素,对于我们改进生产工艺,提高生产效率具有十分重要的意义.

关键词： 砷化镓单晶 电学性能 杂质元素 晶体退火

作者: 张颖怀 徐岳生 刘彩池

作者单位: 河北工业大学半导体材料研究所(天津)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 57-58

在线出版日期: 2001-04-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）