微氮直拉硅单晶中氧化诱生层错

摘要：

本文研究了微氮直拉硅单晶中的氧化诱生层错,指出,氮能促进硅中氧的沉淀.与非含氮硅单晶相比,含氮硅单晶中引起的OSF密度较小,这可能是氧沉淀生长的延滞现象引起的.

关键词： 直拉硅 氮 氧化诱生层错 单晶硅 氧含量 氧沉淀

作者: 储佳 杨德仁 马向阳 樊瑞新 李立本 阙端麟

作者单位: 浙江大学硅材料国家重点实验室(杭州)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 54-56

在线出版日期: 2001-04-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）