马兰哥尼对流与硅中氧含量控制

摘要：

本文通过对晶体生长过程中的马兰哥尼对流的研究,探讨了控制马兰哥尼对泫,可以控制熔硅自由表面SiO<,2>的挥发,从而达到控制硅单晶中氧含量的目的.

关键词： 单晶硅 氧含量控制 晶体生长 马兰哥尼对流

作者: 徐岳生 刘彩池 王海云 郝秋艳 张春玲 张雯

作者单位: 河北工业大学材料学院(天津)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 40-43

在线出版日期: 2001-04-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）