GSMBEIn0.53Ga0.47As PIN高速光电探测器

摘要：

本文报道了采用GsMBE方法研制的In<,0.53>Ga<,0.47>As PIN探测器,通过在器件结构中引入了宽禁带InP窗口层和聚酰亚胺钝化工艺,减小了暗电流,提高了性能,采用半导体参数测试仪对器件的I-V特性进行了测量.

关键词： PIN探测器 分子束外延生长 性能测量 半导体材料 InGaAs

作者: 张永刚 刘家洲 陈意桥 南矿军 税琼 李爱珍

作者单位: 中国科学院信息功能材料国家重点实验室,中国科学院上海冶金研究所(上海)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届全国分子束外延学术会议

会议地点: 贵阳

会议语种:中文

页码: 128-129

在线出版日期: 2001-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）