AlxGa1-xAs/GaAs量子阱探测器的均匀性研究

摘要：

本文报导了128×1元Al<,x>Ga<,1-x>As/GaAs多量子阱探测器的均匀性研究.通过改进上下电极之间的绝缘工艺,使探测器的均匀性明显提高,其电阻不均匀性小于7.4﹪,平均响应率不均匀性小于10﹪,并获得清晰的手部热像.

关键词： 量子阱探测器 均匀性 制造工艺 AlGaAs/GaAs

作者: 郭献东 刘天东 魏永乐 谢东珠 李洪发

作者单位: 航天科技集团八院803所(上海)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届全国分子束外延学术会议

会议地点: 贵阳

会议语种:中文

页码: 123-125

在线出版日期: 2001-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）