室温1.8-2.4μm波段InGaAsSb PIN探测器

摘要：

本文采用固态源分子束外延的方法,在n型掺TeGaSb衬底上生长了InGaAsSb/GaSb和AlGaAsSb/InGaAsSb/GaSb PIN型探测器结构.给出了探测器的能带结构及I-V特性.

关键词： PIN探测器 能带结构 InGaAsSb材料

作者: 林春 郑燕兰 李爱珍

作者单位: 中国科学院信息功能材料国家重点实验室,中国科学院上海冶金研究所(上海)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届全国分子束外延学术会议

会议地点: 贵阳

会议语种:中文

页码: 121-122

在线出版日期: 2001-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）