采用ZnCdTe衬底的HgCdTe分子束外延

摘要：

本文报道了用MBE方法,在ZnCdTe衬底上制备低位错HgCdTe薄膜的研究结果,对如何评价,统计位错密度进行了探讨.

关键词： HgCdTe材料 分子束外延生长 位错密度 ZnCdTe衬底 焦平面探测器

作者: 于梅芳 巫艳 陈路 乔怡敏 何力

作者单位: 中国科学院上海技术物理研究所,半导体材料与器件研究中心及国家物理红外实验室

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届全国分子束外延学术会议

会议地点: 贵阳

会议语种:中文

页码: 119-120

在线出版日期: 2001-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）