HgCdTe分子束外延In原子的掺杂特性

摘要：

本文报道了用MBE的方法生长的参In HgCdTe材料的研究结果.比较了低浓度掺In HgCdTe材料以及非故意掺杂HgCdTe的电学性质,讨论了杂质补偿效应对材料电学性质的影响.

关键词： HgCdTe材料 半导体材料 分子束外延生长 原子掺量 电学性质 焦平面探测器

作者: 巫艳 陈路 于梅芳 乔怡敏 吴俊 何力

作者单位: 中国科学院上海技术物理研究所,半导体材料与器件研究中心及国家物理红外实验室

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届全国分子束外延学术会议

会议地点: 贵阳

会议语种:中文

页码: 117-118

在线出版日期: 2001-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）