应变补偿InGaAs/InAlAs量子级联激光器

摘要：

量子级联激光器对光子能量的剪裁是有一定限度的,在高能端,主要是受两种半导体材料的导带不连续量决定.因此要使该类激光器的工作波长在4.3μm以下,必须采用应变补偿的方法来提高InGaAs/InAlAs材料体系的导带不连续.本文介绍了量子级联激光器的结构,器件性能.

关键词： 量子级联激光器 应变补偿 器件结构 器件性能

作者: 刘峰奇 张永照 王占国 江德生

作者单位: 中国科学院半导体研究所,半导体材料科学实验室 中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实验室

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届全国分子束外延学术会议

会议地点: 贵阳

会议语种:中文

页码: 114-115

在线出版日期: 2001-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）