6～18GHz砷化镓PHEMT宽带功放工艺技术研究

摘要：

总结了在φ76mm砷化镓圆片上实现PHEMT亚微米工艺技术的研究.提出低应力介质膜、控制低损伤层提高PHEMT器件性能;运用统计过程控制技术(SPC技术)提高MMC芯片成品率.研制出的6～18GHz砷化镓宽带功放,测试结果P<,0>>27dBm,增益为6dB左右,小信号增益>8dB.

关键词： 砷化镓 宽带功放 工艺流程 刻蚀 半导体材料

作者: 蒋幼泉 李拂晓 钮利荣 黄念宁 陈效建 杨乃彬

作者单位: 南京电子器件研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届全国分子束外延学术会议

会议地点: 贵阳

会议语种:中文

页码: 80-81

在线出版日期: 2001-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）