Si(001)衬底上GeSi外延膜的Crosshatch起源研究

摘要：

本文研究了Si(001)衬底上GeSi外延膜的粗糙表面形貌,提出了一种新的粗糙表面形貌的形成机制,弥补了目前存在模型的不足.

关键词： 粗糙表面形貌 GeSi外延膜 Si衬底 分子束外延生长

作者: 陈弘 李永康 彭长四 刘洪飞 黄绮 周均铭

作者单位: 凝聚态物理中心,中国科学院物理研究所(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届全国分子束外延学术会议

会议地点: 贵阳

会议语种:中文

页码: 78-79

在线出版日期: 2001-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）