高速电路用GSMBE生长SiGe/Si外延材料

摘要：

本文简要介绍了用国产研究型GSMBE分子束外延设备生长高速电路用SiGe/Si异质结外延材料所取得的结果.

关键词： 分子束外延生长 SiGe/Si 原位掺杂 半导体材料

作者: 刘超 黄大定 李建平 高斐 孙殿照 朱世荣 孔梅影 林兰英

作者单位: 中国科学院半导体研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届全国分子束外延学术会议

会议地点: 贵阳

会议语种:中文

页码: 76-77

在线出版日期: 2001-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）