GSMBE生长SiGe/Si材料的原位掺杂控制技术

摘要：

本文将介绍采用气固源分子束外延工艺生长SiGe/Si材料的原位掺杂控制技术,以获得理想掺杂分布的HBT材料的结果.

关键词： 分子束外延生长 生长工艺 SiGe/Si 原位掺杂 控制技术 半导体材料

作者: 黄大定 刘超 李建平 高斐 孙殿照 朱世荣 孔梅影

作者单位: 中国科学院半导体研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届全国分子束外延学术会议

会议地点: 贵阳

会议语种:中文

页码: 74-75

在线出版日期: 2001-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）