SiGe MOS器件SiO2栅介质低温制备技术研究

摘要：

为了获得电学性能良好的SiGe PMOS SiO2栅介质薄膜,本文采用等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)工艺,对低温300℃下制备技术进行了研究.实验表明采用适当高温、短时间对PECVD薄膜退火,有助于降低薄膜中正电荷密度和界面态密度.同时该技术用于SiGe PMOS研制,其300K常温和77K低温下跨导分别达到45ms/mm和92.5ms/mm.(W/L=20μm/2μm).

关键词： SiO2栅介质薄膜 SiGe SiGe MOS器件 化学汽相淀积 低温制备技术 制备工艺

作者: 李竞春 杨沛峰 杨谟华 何林 谭开州 郑娥

作者单位: 电子科技大学(成都) 信息产业部电子24所(重庆)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 383-386

在线出版日期: 2001-04-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）