SiGe HBT缓变基区的MBE生长

摘要：

利用分子束外延(MBE)方法,生长SiGe HBT的缓变基区.Ge的组分从集电极一侧线性缓变地向发射极一侧降低,由生长速率精确控制.

关键词： 分子束外延 硅锗异质结双极晶体管 缓变基区 结构设计

作者: 张静 李开成 易强 凡则锐

作者单位: 信息产业部电子二十四所,模拟集成电路国家重点实验室(重庆)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 379-382

在线出版日期: 2001-04-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）