基于新型全固源分子束外延的As2和As4生长特性的研究

本文在国产分子束外延设备的基础上,利用新型阀控裂解源炉对As<,2>(砷的四聚体)和As<,4>的生长特性进行了全面的研究.
分子束外延生长 生长特性 InAsP/InP 砷 半导体材料
任在元 郝智彪 何为 罗毅
集成光电子学国家重点实验室·清华大学电子工程系(北京)
国内会议
贵阳
中文
47-48
2001-08-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
分子束外延生长 生长特性 InAsP/InP 砷 半导体材料
任在元 郝智彪 何为 罗毅
集成光电子学国家重点实验室·清华大学电子工程系(北京)
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