会议专题

基于新型全固源分子束外延的As2和As4生长特性的研究

本文在国产分子束外延设备的基础上,利用新型阀控裂解源炉对As<,2>(砷的四聚体)和As<,4>的生长特性进行了全面的研究.

分子束外延生长 生长特性 InAsP/InP 砷 半导体材料

任在元 郝智彪 何为 罗毅

集成光电子学国家重点实验室·清华大学电子工程系(北京)

国内会议

第六届全国分子束外延学术会议

贵阳

中文

47-48

2001-08-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)