使用多层金属化与P-GaN形成低电阻的欧姆接触

摘要：

报告了对P-GaN实现低电阻欧姆接触的新型金属化方案.这个方案包括淀积多层金属Ti/Pd/Ni/Au(20A/300A/400A/500A),用快速热退火(RTA)合金850℃30S.对于掺杂浓度Na=3×10<’17>cm<’-3>的P-GaN,使用传输线方法(TLM)获得的接触电阻Rc=1.5×10<’-6>Ω.cm<’2>.对其形成低电阻的可能机理进行了讨论.

关键词： P-GaN 欧姆接触 光学器件

作者: 吕长志 李志国 吕晓亮 谢雪松 王东风 冯士维 吴武臣 程尧海 陈建新

作者单位: 北京工业大学电子信息与控制工程学院可靠性研究室

会议类型: 国内会议

会议名称: 第九届全国可靠性物理学术讨论会

会议地点: 延安

会议语种:中文

页码: 50-54

在线出版日期: 2001-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）