极化诱导AlxGa1-xN/GaN HEMT结构材料及器件性能研究

摘要：

Al<,x>Ga<,1-x>N/GaN HEMT材料具有更大的自发极化强度和更大的压电极化系数,由于自发极化和压电极化效应的影响,Al<,x>Ga<,1-x>N/GaN HEMT结构材料可产生的二维电子气浓度可大于10<”13>cm<”-2>,比GaAs基和InP基调制掺杂HEMT结构材料的二维电子气浓度高一个多量级.本文从实验和理论两方面对极化诱导Al<,x>Ga<,1-x>N/GaN HEMT结构材料和器件进行了研究.

关键词： Al<,x>Ga<,1-x>N/GaN 自发极化 压电极化 二维电子气 HEMT器件 器件性能

作者: 王晓亮 孙殿照 王军喜 胡国新 刘宏新 刘成海 曾一平 李晋闽 林兰英

作者单位: 中国科学院半导体所材料中心

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届全国分子束外延学术会议

会议地点: 贵阳

会议语种:中文

页码: 59-60

在线出版日期: 2001-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）