Si衬底上无坑洞3C-SiC的外延生长研究

摘要：

本文介绍了利用最近设计完成的冷壁式不锈钢超高真空MBE生长系统,结合MBE和CVD两种生长技术的特点,在2英寸的Si(100)和Si(111)衬底上外延生长出了高取向无坑洞的晶态3C-SiC外延材料,获得了制备无坑洞3C-SiC的最佳工艺条件.

关键词： 碳化硅 半导体材料 分子束外延生长 Si衬底 工艺条件

作者: 孙国胜 王雪 罗木昌 朱世荣 李晋闽 曾一平 林兰英

作者单位: 中国科学院半导体研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届全国分子束外延学术会议

会议地点: 贵阳

会议语种:中文

页码: 57-58

在线出版日期: 2001-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）