C-面(0001)蓝宝石衬底上3C-SiC厚膜的外延生长

摘要：

为了提高SiC在蓝宝石衬底上的成核率和附着力,采用了蓝宝在衬底表面氮化技术,成功地获得了厚度为6.5um,且无剥落现象的单晶3C-SiC外延膜.

关键词： 外延生长 碳化硅 蓝宝石衬底 半导体材料

作者: 孙国胜 罗木昌 王雷 朱世荣 李晋闽 曾一平 林兰英

作者单位: 中国科学院半导体研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届全国分子束外延学术会议

会议地点: 贵阳

会议语种:中文

页码: 55-56

在线出版日期: 2001-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）