C-面(0001)蓝宝石衬底上3C-SiC厚膜的外延生长
为了提高SiC在蓝宝石衬底上的成核率和附着力,采用了蓝宝在衬底表面氮化技术,成功地获得了厚度为6.5um,且无剥落现象的单晶3C-SiC外延膜.
外延生长 碳化硅 蓝宝石衬底 半导体材料
孙国胜 罗木昌 王雷 朱世荣 李晋闽 曾一平 林兰英
中国科学院半导体研究所
国内会议
贵阳
中文
55-56
2001-08-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
外延生长 碳化硅 蓝宝石衬底 半导体材料
孙国胜 罗木昌 王雷 朱世荣 李晋闽 曾一平 林兰英
中国科学院半导体研究所
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贵阳
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2001-08-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)