氮化镓材料的MBE生长研究

摘要：

本文介绍了在改造过的国产MBE设备上使用NH<,3>作氮源,采用GS MBE分法在(00001)Al<,2>O<,3>衬底上生长出了高质量的GaN单晶外延膜.

关键词： 氮化镓 分子束外延 材料性能 半导体材料

作者: 王军喜 孙殿照 王晓亮 刘宏新 曾一平 李晋闽 林兰英

作者单位: 中国科学院半导体研究所材料中心(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届全国分子束外延学术会议

会议地点: 贵阳

会议语种:中文

页码: 53-54

在线出版日期: 2001-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）