自发极化与压电极化诱导AlGaN/GaN 2DEG计算

摘要：

本文选取常用的Ga-面AlGaN/GaN结构作为研究对象,计算了自发极化与压电极化产生的总的界面电荷与2DEG密度,得出了2DEG面电阻的值.

关键词： 自发极化 压电极化 界面电荷 AlGaN/GaN 半导体材料

作者: 李伟 李爱珍

作者单位: 中国科学院信息功能材料国家重点实验室,中国科学院上海冶金研究所(上海)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届全国分子束外延学术会议

会议地点: 贵阳

会议语种:中文

页码: 51-52

在线出版日期: 2001-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）