厚膜GaN衬底上的GaN生长及特性研究

摘要：

用多种生长方法相结合的方法来降低GaN基材料与异质衬底之间的大失配问题,是提高材料质量的重要方法.本文介绍了原膜GaN衬底上的GaN生长方法,并用双晶X射线衍射仪及紫外一可见光栅光谱仪对所得材料进行了表征测量.

关键词： GaN 外延生长 材料表征 生长特性 半导体材料

作者: 任尧成 李伟 李存才 李爱珍

作者单位: 中国科学院信息功能材料国家重点实验室,中国科学院上海冶金研究所(上海)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届全国分子束外延学术会议

会议地点: 贵阳

会议语种:中文

页码: 49-50

在线出版日期: 2001-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）