CMOS单元版图生成中的晶体管布局算法

摘要：

本文提出了一个基于模拟退火技术的CMOS标准(库)单元版图生成中的单元内晶体管布局算法,在满足高度约束的前提出同时优化单元版图的面积和时延,可处理不局限于静态串并联结构的电路,考虑大尺寸管子折叠等因素,最终生成二维样式标准单元版图.

关键词： 单元版图生成 晶体管布局 模拟退火 集成电路

作者: 马琪 卢永江 王卉 严晓浪

作者单位: 杭州电子工业学院CAD研究所(杭州)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 445-449

在线出版日期: 2001-04-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）