用Si2H6-Ge分子束外延技术生长p-SiGe沟道的反常调制掺杂结构

摘要：

采用气态Si<,2>H<,6>源和固态Ge源的国产分子束外延(MBE)系统生长了一个p-SiGe反常调制掺杂结构,变温Hall测量得出在室温下(290K)载流子(孔穴)的迁移率为113cm<”2>/Vs;在低温下(61K)载流子(孔穴)的迁移率为5876cm<”2>/Vs.对影响载流子(孔穴)的迁移率的因素进行了讨论.

关键词： 反常调制掺杂结构 分子束外延 迁移率 p-SiGe沟道

作者: 高斐 黄大定 李建平 刘超 孔梅影 曾一平 李晋闽 林兰英

作者单位: 中国科学院半导体研究所材料中心

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 368-370

在线出版日期: 2001-04-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）