SiGe HMOSFET的研制

摘要：

本文介绍了SiGe HMOSFET器件的研制结果,显示SiGe HMOSFET器件性能明显优于纯硅器件.

关键词： SiGe MOSFET器件 参数设计 基本结构 工作原理

作者: 陈培毅 黎晨 史进 罗广礼 黄文韬 钱佩信

作者单位: 清华大学微电子学研究所(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 364-367

在线出版日期: 2001-04-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）