φ6″P型(100)CZSi单晶中微缺陷的研究

摘要：

本文主要研究了6″P型(100)直拉硅单晶中微缺陷与间隙氧之间的关系,并在不同的生长条件下研究了微缺陷与晶体生长热历史之间的关系.实验结果表明,间隙氧严重影响到微缺陷的密度,拉速同样影响微缺陷,拉速愈大,则缺陷密度增加尺寸减小.1200℃高温退火4～6h可消除微缺陷.

关键词： 单晶硅 微缺陷 间隙氧含量 缺陷分析

作者: 郝秋艳 刘彩池 王海云 任丙彦

作者单位: 河北工业大学半导体材料研究所(天津)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 37-39

在线出版日期: 2001-04-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）