γ-Al2O3/Si硅基外延薄膜生长与表征

摘要：

应用低压CVD和高真空外延技术在Si上生长出γ-Al<,2>O<,3>/Si薄膜,高剂量X射线粉末衍射测试说明升高温度有利于γ-Al<,2>O<,3>/Si外延生长,单晶衍射法证明它们的结晶关系是(100)γ-Al<,2>O<,3>//(100)Si,”010” γ-Al<,2>O<,3>//”010”Si. γ-Al<,2>O<,3>/Si单晶薄膜与初底的热胀系数的差异 引起界面硅产生大量Cottrell位错.这给于我们一种提示,在能长出单晶膜的条件下,尽可能降低外延生长温度.

关键词： 硅 外延生长 薄膜生长 γ-Al<,2>O<,3>/Si薄膜

作者: 昝育德 王建华 邓惠芳 李瑞云 王俊 林兰英

作者单位: 中国科学院半导体研究所,材料科学中心(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 26-29

在线出版日期: 2001-04-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）