4英寸硅外延片生产中外延层缺陷的分析与控制

摘要：

硅外延过程中常引入各种宏观和微观缺陷.本文以4英寸<111>硅片为研究对象,探讨了外延层缺陷的形态、成因及其减少的方法.

关键词： 硅外延片 外延层缺陷 缺陷分析 控制方法

作者: 谭卫东 刘六亭 马林宝 陆春一

作者单位: 信息产业部电子第五十五研究所(南京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 14-16

在线出版日期: 2001-04-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）