4英寸P/P+高阻厚层硅外延片电阻率的精确控制

摘要：

本文讨论了影响P/P<”+>高阻厚层硅外延片外延层电阻率稳定控制的主要因素,采取立式常压外延,利用背面封闭技术,充分抑制了高温状态下低阻重掺硼衬底的杂质自掺杂效应,使得外延层电阻率得到精确的控制.该技术已成功地应用到4英寸P/P<”+>高阻厚层硅外延片的生产中,外延片电阻率大于50欧姆厘米,厚度大于40微米.

关键词： 硅外延片 外延生长 电阻率 背面封闭技术

作者: 谭卫东 刘六亭 骆红 马林宝 陆春一 马利行

作者单位: 信息产业部电子第五十五研究所(南京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 10-13

在线出版日期: 2001-04-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）