3英寸重掺砷衬底高阻厚层硅外延生长技术

摘要：

本文介绍了采用常压方式外延的方法,在3英寸重掺砷衬底上生长出了电阻率＞80Ωcm,厚度＞30μm的高质量硅外延层,从而使器件获得较为理想的结果,顺利通过设计定型.

关键词： 硅材料 外延生长技术 外延层 重掺砷衬底

作者: 谭卫东 陆春一 骆红 刘六亭 马林宝 马利行

作者单位: 信息产业部电子第五十五研究所(南京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 8-9

在线出版日期: 2001-04-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）