Ti/4H-SiC SBD的高温伏安特性测试与分析

摘要：

本文测量并计算了300K--500K温度范围内Ti/4H-SiC肖特基势垒二极管(SBD)的伏安特性,测量值与计算值符合较好.由结果表明,高温时热电子发射是正向电流的主要输运机理;反向电流除了以隧道效应电流为主外,热电子发射电流和耗尽层中复合中心产生电流都随温度的升高而大大增加,不能再忽略不计.

关键词： 肖特基势垒二极管 伏安特性 测试分析 热电子发射

作者: 张义门 常远程 张玉明

作者单位: 西安电子科技大学微电子研究所(西安)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 352-355

在线出版日期: 2001-04-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）