会议专题

锰氧化合物平面隧道结的自旋极化隧道效应

在本文中我们报道了以La2/3Cal/3Mn03作为电极、以SrTi03作为势垒的平面隧道结的制备.我们采用了两端法、三端法和四端法测量该隧道结的隧穿电流-偏压关系,讨论了底电极电阻对上述测量结果的影响.同时采用锁相技术测量了该隧道结的隧道谱(dI/dV-V).实验结果表明在低偏压(大约小于200eV)下存在着受温度影响的赝能隙,在低温下赝能隙的作用明显,但随着温度升高,赝能隙对电导的抑制作用减弱.这种低压下的电导抑制作用不能采用锰氧化合物中的不均匀性来进行解释,我们认为表面电子结构,包括电荷有序、轨道有序可能是赝能隙的成因.而自旋相关的散射所起的作用可能并不重要.

锰氧化合物 平面隧道结 自旋极化隧道效应 赝能隙

蔡纯

中国科学院物理研究所,超导国家重点实验室(北京)

国内会议

第六届全国超导电子器件学术会议

贵阳

中文

102-105

2001-07-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)