5.5Tesla强场下Bi2Sr2CaCu2O8+□/I/Zn结的隧道谱研究

摘要：

本文首次报道了高质量Bi<,2>Sr<,2>CaCu<,2>O<,8+□>/I/Zn结的隧道谱随温度和磁场的变化的系统研究.观测到磁场垂直ab面比平行ab面对隧道谱的影响要大很多.本实验对高温超导体Bi2212的强的各向异性给出了一个新的证据.

关键词： 超导体 单电子隧道结 单电子隧道谱 强磁场

作者: 陶宏杰 宣毅 赵柏儒 赵忠贤

作者单位: 中国科学院物理研究所超导国家重点实验室和中国科学院凝聚态物理中心(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届全国超导电子器件学术会议

会议地点: 贵阳

会议语种:中文

页码: 83-86

在线出版日期: 2001-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）